我們提供低壓和高壓柵極驅動芯片及解決方案，以實現(xiàn)對IGBT和MOSFET器件高效而可靠的控制。作為高速驅動解決方案，英飛凌DC-DC低壓柵極驅動能夠在運算和通信負載點等領域實現(xiàn)對雙功率MOSFET器件的驅動，并且可根據(jù)設計需求和應用條件對系統(tǒng)效率進行調(diào)整。您還可以參考英飛凌面向CoolMOS? MOSFET、分立式IGBT器件以及適用于大部分工業(yè)應用的模塊的高性能隔離柵驅動芯片及EiceDRIVER?產(chǎn)品。

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英飛凌提供采用壓接式封裝或模塊化外殼的晶閘管及二極管產(chǎn)品，為電力驅動、軟啟動電壓、通用電源以及復雜程度更高的電能傳輸系統(tǒng)等高功率應用帶來穩(wěn)定而可靠的表現(xiàn)。

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得益于領先的技術，英飛凌提供了包括裸片、分立器件、模塊及堆棧在內(nèi)的全系列IGBT產(chǎn)品。依托于豐富的產(chǎn)品系列，我們?yōu)槟墓I(yè)應用（通用逆變器、太陽能及風力發(fā)電逆變器、UPS、焊接、感應加熱裝置和SMPS系統(tǒng)）提供可靠而高效的解決方案。同時，在包括電飯煲、微波爐、電磁爐以及空調(diào)系統(tǒng)等消費領域，我們的IGBT產(chǎn)品同樣能夠勝任。此外，英飛凌的汽車級分立式IGBT及模塊可用于壓電注射、HID照明、泵以及小型電機等應用。

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該功率級產(chǎn)品擁有最高等級的效率和功率密度，例如DrMOS和DrBlade。得益于DrBlade產(chǎn)品所采用的Blade芯片嵌入技術，英飛凌實現(xiàn)了高度緊湊的集成式MOSFET半橋驅動方案。

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英飛凌MOSFET系列包含汽車級MOSFET、功率MOSFET和RF MOSFET等產(chǎn)品。面向汽車應用的OptiMOS?采用領先的MOSFET技術和穩(wěn)定的封裝，擁有一流的性能和卓越的載流能力。在電源應用領域，OptiMOS? 20V-250V在系統(tǒng)設計關鍵參數(shù)（如導通電阻和品質(zhì)因數(shù)）方面的表現(xiàn)始終是行業(yè)標桿。革命性CoolMOS? 500V-900V功率產(chǎn)品系列在能源效率層面設立了全新的行業(yè)標準，顯著降低了傳導和開關損耗，從而提高了大功率轉換系統(tǒng)的功率密度和效率。

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與常用的硅（Si）相比，SiC器件為高壓功率半導體帶來諸多優(yōu)勢。英飛凌CoolSiC?肖特基二極管產(chǎn)品涵蓋600V-1200V電壓區(qū)間，為多個領域內(nèi)解決方案的效率和系統(tǒng)成本帶來優(yōu)化，例如服務器、通信、太陽能、照明、消費電子、PC電源和AC/DC轉換。憑借革命性CoolSiC? 1200V SiC JFET系列產(chǎn)品及其Direct Drive技術，英飛凌以其卓越的領先科技助力設計人員將解決方案的效率提升至前所未有的高度。此外，客戶還可以選擇搭載SiC續(xù)流二極管的高效率IGBT功率模塊。

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